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J-GLOBAL ID：201202215590514946   整理番号：12A0216690

CdTe太陽電池用の前面電極としてのSnO_2:F/SnO_2複合材料フィルムの性能

Performance of SnO_2: F/SnO_2 composite film as front-electrode for CdTe solar cells

著者 (8件)： Zeng Guanggen (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Li Bing (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Zheng Jiagui (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Wu Lili (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Zhang Jingquan (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Lei Zhi (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Li Wei (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu) ,  Feng Lianghuan (Dep. of Materials Sci., Sichuan Univ., Chengdu)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 59  号： 10  ページ： 7437-7441  発行年： 2010年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： CdS厚さを減らことは,CdS/CdTe太陽電池の変換効率を向上させる効果的方法の1つであった。この素子の性能に及ぼすCdS厚さにおける減少の逆効果を取り除くために,CdSとフロント電極層の間のバッファ層を導入することが必要であった。バッファ層として無ドープSnO2薄膜を磁性反応性スパッタリングによってSnO2:F薄膜上にデポジットした。次に,この複合材料フィルムを30分間にわたってN2/O2=4:1の環境において550°Cでアニールした。それぞれ,アニーリングの前後の複合材料フィルムのモルフォロジー,構造および光学的性質をAFM,XRD,UV-Visによって研究して,この電気的性質について解析した。その結果,無ドープSnO2フィルムの結晶格子定数はこの基板のものと一致して,そこで,この無ドープSnO2フィルム(110の計画に沿って,明らかな優先配向を有した)は基板材料と同じ構造を有した。これは格子不整合がないことを意味した。アニーリングの後,表面トポグラフィーおよび電力均一性は改良されて,80%を超える透明度を得て,抵抗はバッファー層の要求条件を満たすように増加した。最後に,連続的で均質なSnO2:F/SnO2複合材料薄膜を得て,それはCdS/CdTe電池にとって非常に好適だった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *複合フィルム ,  酸化スズ ,  太陽電池 ,  反応性スパッタリング ,  トポグラフィー【形態】 ,  モルフォロジー ,  バッファ層 ,  貨幣
準シソーラス用語： *複合材料フィルム ,  表面トポグラフィー ,  デポジット

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdTe ,  太陽電池 ,  前面電極 ,  複合材料フィルム