文献

J-GLOBAL ID：201202215864280980   整理番号：12A1377683

完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX(SOTB)MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき

Reduced Drain Current Variability in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSFETs

著者 (8件)： 水谷朋子 (東大 生産技研) ,  山本芳樹 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  槇山秀樹 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  角村貴昭 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  岩松俊明 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  尾田秀一 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  杉井信之 (超低電圧デバイス技術研究組合) ,  平本俊郎 (東大 生産技研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 170(ICD2012 31-56)  ページ： 33-36  発行年： 2012年07月26日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 65nm技術で作製した薄膜BOX-SOI(SOTB)トランジスタのドレイン電流ばらつきを評価し,バルクMOSトランジスタと比較した。SOTBトランジスタではバルクトランジスタと比較してドレイン電流ばらつき大幅に抑制できることを実測で示し,その原因がV_THばらつきの低減および電流立ち上がり電圧(COV)の低減であることを明らかにした。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  電流 ,  分散【variance】 ,  空乏層 ,  SOI構造 ,  *酸化膜
準シソーラス用語： *BOX ,  *ドレイン電流 ,  *ばらつき

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： BOX ,  MOSトランジスタ ,  ドレイン電流 ,  ばらつき