文献

J-GLOBAL ID：201202215901436197   整理番号：12A1035219

最新のCMOSデバイスの2D断面ドーピング分布の研究

2D cross-sectional doping profiling study of advanced CMOS devices

著者 (4件)： QIN Shu (Micron Technol. Inc., ID) ,  WANG Zhouguang (Micron Technol. Inc., ID) ,  HU Y.Jeff (Micron Technol. Inc., ID) ,  MCTEER Allen (Micron Technol. Inc., ID)
資料名： Solid State Technology  (Solid State Technology)
巻： 55  号： 6  ページ： 29-35  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ホログラフィー(EH)を使ってCMOSデバイスのソースドレイン(SD)領域の2次元(2D)断面活性化ドーパント(キャリア)分布の調査を行った。SD領域は,通常のビームラインイオン注入とプラズマドーピング(PLAD)により行って試料を作成した。実験の結果,2D EH分布,2Dドーパント分布シミュレーション,および1D SIMS/ARXPS不純物(BまたはAs)間でよい相関が得られた。2D EHドーピング分布とデバイスパラメータ間によい相関が得られた。また,p型とn型PLADは,ビームライン注入に比べてやや深い横方向接合深さとわずかに大きい横方向と縦方向深さ比を示した。これらの結果は,最新CMOSデバイスに必要な性能を得るためにプロセスパラメータとアーキテクチャの影響を知るのに役立った。

シソーラス用語： ホログラフィー ,  *CMOS構造 ,  ドーピング ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  ドーパント ,  *プラズマ処理 ,  計算機シミュレーション ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  プラズマドーピング ,  *電子ホログラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  2D ,  ドーピング分布 ,  研究