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J-GLOBAL ID：201202215908308836   整理番号：12A1346923

個々のGe-Si_xGe_1-xコアシェルナノワイヤにおけるRaman分光法および歪マッピング

Raman spectroscopy and strain mapping in individual Ge-Si_xGe_1-x core-shell nanowires

著者 (4件)： DILLEN D.C. (Univ. Texas, Texas, USA) ,  VARAHRAMYAN K.M. (Univ. Texas, Texas, USA) ,  CORBET C.M. (Univ. Texas, Texas, USA) ,  TUTUC E. (Univ. Texas, Texas, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 86  号： 4  ページ： 045311.1-045311.6  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  構造 ,  化合物半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *ゲルマニウム化合物 ,  ケイ素化合物 ,  VLS成長 ,  遷移金属触媒 ,  基板 ,  ケイ素 ,  化学蒸着 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *Ramanスペクトル ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 金触媒

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  Raman分光法 ,  歪 ,  マッピング