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J-GLOBAL ID：201202215994726351   整理番号：12A0861359

鉄-銅触媒上単層カーボンナノチューブの成長機構と電子回折によるキラリティ研究

Growth Mechanism of Single-Walled Carbon Nanotubes on Iron-Copper Catalyst and Chirality Studies by Electron Diffraction

著者 (16件)： HE Maoshuai (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  LIU Bilu (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  LIU Bilu (Inst. of Metal Res., Chinese Acad. of Sci., Shenyang, CHN) ,  CHERNOV Alexander I. (A. M. Prokhorov General Physics Inst., RAS, Moscow, RUS) ,  OBRAZTSOVA Elena D. (A. M. Prokhorov General Physics Inst., RAS, Moscow, RUS) ,  KAUPPI Inkeri (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  JIANG Hua (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  ANOSHKIN Ilya (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  CAVALCA Filippo (Technical Univ. Denmark, Kgs Lyngby, DNK) ,  HANSEN Thomas W. (Technical Univ. Denmark, Kgs Lyngby, DNK) ,  WAGNER Jakob B. (Technical Univ. Denmark, Kgs Lyngby, DNK) ,  NASIBULIN Albert. G. (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  KAUPPINEN Esko I. (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  LINNEKOSKI Juha (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  NIEMELAE Marita (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  LEHTONEN Juha (Aalto Univ., Aalto, FIN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 10  ページ： 1796-1801  発行年： 2012年05月22日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノビーム電子回折を利用し,600°C下,原子層堆積(ALD)調製二金属FeCu/MgO上で成長させたSWCNT(単層カーボンナノチューブ)のキラリティをキラル指数(n,m)分布(mod(n-m,3)=0で金属,1か2で半導体を示す)により定量的に評価した。成長体は約90%が半導体チューブで,その45%が(6,5)型なことを明らかにした。環境制御型透過電子顕微鏡と赤外分光法を利用し,触媒の異なる成分の役割に加え成長機構を,in situで研究した。カーボナノチューブ成長機構の理解に基づき,含浸によりMgO担持FeCu触媒を調製したが,ALD調製触媒と同様な触媒性能を示し,同様な狭いキラリティ分布を持つSWCNTが生成した。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *結晶成長 ,  *二元触媒 ,  *銅 ,  *鉄 ,  *担持触媒 ,  *触媒担体 ,  *酸化マグネシウム ,  *化学蒸着 ,  *性質 ,  指数 ,  半導体 ,  透過型電子顕微鏡 ,  赤外分光法 ,  *含浸 ,  電子回折
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *キラリティ

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 鉄 ,  銅触媒 ,  単層カーボンナノチューブ ,  成長 ,  電子回折 ,  キラリティ ,  研究