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J-GLOBAL ID：201202215997157757   整理番号：12A0460672

量子電圧標準のためのNbNベース過減衰放電Josephson接合

NbN-Based Overdamped Josephson Junctions for Quantum Voltage Standards

著者 (4件)： YAMAMORI Hirotake (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  YAMADA Takahiro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  SASAKI Hitoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  KOHJIRO Satoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E95-C  号： 3  ページ： 329-336 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15mm×15mmのダイ上にPJVS(プログラマブルJosephson電圧標準)を生成した。524288個のNbNベースJosephson接合を集積したPJVS回路を極低温維持装置を用いて冷却し,約1.0mAの電流マージンで動作させた。電圧標準には10Vの出力電圧が必要であったが,欠陥による出力電圧の低下を免れ得なかったため,17Vの最大出力電圧を発生する回路を設計した。いかなる欠陥もない完全チップの製作は非常に難しかったが,最低10Vを発生する高電圧チップを30%以上の製作歩留まりで製作することができた。また薄膜応力や粒子数を低減するため,薄膜成長条件の最適化により製作歩留まりを改善した。二次電圧標準および交流Josephson電圧標準のための応用についても記述した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *標準 ,  *ニオブ化合物 ,  *窒化物 ,  *Josephson接合 ,  クライオスタット ,  *電圧 ,  欠陥 ,  半導体チップ ,  歩留り ,  表面応力
準シソーラス用語： 極低温維持装置 ,  構造欠陥 ,  出力電圧 ,  製造歩留り ,  窒化ニオブ ,  電圧標準

分類 (2件)： Josephson接合・素子  (BM04043E) ,  窒素とその化合物  (YB02050S)

引用文献 (34件)：

• UZAWA, Y. Terahertz NbN/AlN/NbN mixers with Al/SiO/NbN microstrip tuning circuits. Appl. Phys. Lett. 1998, 78, 680-682
• KAWAKAMI, A. Development of epitaxial NbN/MgO/NbN-superconductor-insulator-superconductor mixers for operations over the Nb gap frequency. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3954-3956
• KOSAKA, S. High speed logic operations of all refractory Josephson integrated circuits. Appl. Phys. Lett. 1983, 43, 213-215
• KOSAKA, S. An integration of all refractory Josephson logic LSI circuit. IEEE Trans. Magn. 1985, 21, 2, 102-109
• SHOJI, A. Niobium nitride Josephson tunnel junctions with magnesium oxide barriers. Appl. Phys. Lett. 1985, 46, 1098-1100

タイトルに関連する用語 (6件)： 量子 ,  電圧標準 ,  NbN ,  過減衰 ,  放電 ,  Josephson接合