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J-GLOBAL ID:201202216144303377   整理番号:12A0211608

結晶シリコンモジュールの耐久試験

TEST-TO-FAILURE OF CRYSTALLINE SILICON MODULES
著者 (7件):
資料名:
巻: 35th Vol.1  ページ: 244-250  発行年: 2010年 
JST資料番号: E0756A  ISSN: 0160-8371  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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地上波光起電力モジュール加速耐久試験プロトコルに従い,5個の結晶シリコンモジュール設計の加速寿命試験を行った。このプロトコルは定量性を基盤にして種々のモジュールの信頼性を比較する。試験するモジュールを3つの加速寿命試験経路に分ける:すなわち,システムバイアスをかけた85°C/85%相対湿度,-40°Cと85°Cの間の熱サイクル,そして,湿気と熱を交互に与える経路。最も厳しいストレスはシステムバイアスを印加した耐湿試験である。そのバイアスはアレイに結合した時,モジュールが経験するとシミュレーションした電圧である。接地したモジュールフレームに対して活性層に印加した正の600Vは銀グリッドフィンガーの腐食を加速し,電池上のシリコンナイトライド反射防止コーティングを劣化させる。暗I-V曲線フィッティングから最大パワーポイント近傍で直列抵抗と飽和電流の増加があることが分かった;しかし,接合再結合特性の改善が見られた。活性層に負の600Vを印加した場合,厳しい短絡と電池メタライゼーション界面故障がシリコン電池内で進んでいるのがエレクトロルミネセンス,熱イメージング,そして,I-V曲線によって確認した。電解腐食,湿気侵入,そして,システム電圧バイアス下でのイオンドリフトに対する耐性はモジュール設計に従って異なる。結果をフィールド故障と関連させて議論する。
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 
タイトルに関連する用語 (3件):
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