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J-GLOBAL ID：201202216192999626   整理番号：12A1438602

単層InAs/GaAs量子ドット構造のDLTS評価

著者 (7件)： 中野廣一 (東大 先端科学技研セ) ,  中野廣一 (東大 大学院) ,  海津利行 (東大 先端科学技研セ) ,  星井拓也 (東大 先端科学技研セ) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  岡田至崇 (東大 先端科学技研セ) ,  岡田至崇 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.11P-J-14  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *量子ドット ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *深準位過渡分光法 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  少数キャリア ,  *キャリア捕獲 ,  *電子捕獲 ,  温度依存性 ,  電圧依存性 ,  バイアス ,  電子放出 ,  エネルギー準位
準シソーラス用語： *DLTS法 ,  逆バイアス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  DLTS ,  評価