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J-GLOBAL ID：201202216348062123   整理番号：12A1032497

非対称接合ドープ構造をもった金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの性能の研究

A study on the performance of metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors with asymmetric junction doping structure

著者 (2件)： PARK Hyunho (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  CHOI Byoungdeog (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 6  ページ： 1503-1509  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浅いドレイン接合ドープ構造を持つ短いチャネルのMOSFET(金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ)のイオン注入pn接合に対して,MOSFETのダイオード電流の特性を詳細に調べて特性化した。MOSFET接合のダイオード電流はゲート誘起ドレイン漏洩(GIDL)電流の観点から解析した。GIDL電流は逆バイアスを掛けたチャネルからドレイン接合を通して電子がバンドからバンドへのトンネル効果(BTBT)によって生成され,BTBT方程式と良く一致することが分かった。基板バイアス電圧に従ってGIDL電流への横方向電界の効果を調べ議論した。短いゲート長,極めて薄い酸化物の厚さ,および非対称ドープ・ドレイン構造とチェックされた分布をもつMOSFETの電界ドーピング分布を測定し,シミュレーション結果と良い一致を得た。非対称ソース-ドレイン接合トランジスタの正確な有効移動度を,分離C-V法を用いて巧く求めた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 非対称性 ,  PN接合 ,  イオン注入 ,  *ドーピング ,  *MOSFET ,  漏れ電流 ,  ゲート【半導体】 ,  トンネル効果 ,  電圧 ,  横方向 ,  電場効果 ,  ドレイン【半導体】 ,  接合形トランジスタ ,  容量電圧特性 ,  *ダイオード ,  *電流 ,  ソース【半導体】
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  *ダイオード電流 ,  ドレイン電流 ,  バイアス電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  ドープ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  研究