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J-GLOBAL ID：201202216391307954   整理番号：12A1115323

移送可能で,熱抵抗の低い高出力素子への応用を目指したZnOを基本とするグラファイト-絶縁体-半導体から成るダイオード

ZnO-based graphite-insulator-semiconductor diode for transferable and low thermal resistance high-power devices

著者 (9件)： ZHANG Zhikun (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  BIAN Jiming (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  SUN Jingchang (School of Physics and Electronic Technol., Liaoning Normal Univ., Dalian 116029, CHN) ,  JU Zhenhe (New Energy Source Res. Center of Shenyang Inst. of Engineering, Shenyang 110136, CHN) ,  WANG Yuxin (School of Physics and Electronic Technol., Liaoning Normal Univ., Dalian 116029, CHN) ,  QIN Fuwen (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  ZHANG Dong (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  LUO Yingmin (School of Physics and Optoelectronic Technol., Dalian Univ. of Technol., Dalian 116024, CHN) ,  LIU Hongzhu (Dalian Zebon Fluorocarbon Paint Stock Co., LTD, Dalian 116036, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 5  ページ： 052108-052108-4  発行年： 2012年07月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い熱伝導度と電気伝導度を有するグラファイト基板上に,ZnOを基本とするグラファイト-絶縁体-半導体(GIS)から成るダイオードを作製した。絶縁体層としてはSiO₂の薄膜層を採用した。電流-電圧特性はダイオード型の優れた整流性を示し,明瞭なターンオン電圧は2.0V,そして漏洩電流は10^-4A程度で可成り低いことが分かった。GISダイオードからは,興味深い負性容量現象も観測された。通常のサファイアを基本とする素子と比較したGISダイオードの優れた熱散逸性能を,実験によって実証することができた。この特性は,充分な耐電力性を備えた高出力の半導体素子の開発という観点から非常に興味深い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 熱抵抗 ,  *グラファイト ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *誘電体薄膜 ,  ダイオード ,  SIS構造 ,  電流電圧特性 ,  整流 ,  電圧 ,  漏れ電流 ,  熱放射 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  電力ダイオード ,  負性容量 ,  放熱

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (8件)： 移送 ,  熱抵抗 ,  出力素子 ,  応用 ,  ZnO ,  グラファイト ,  絶縁体 ,  ダイオード