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J-GLOBAL ID：201202216519506416   整理番号：12A1485730

HEVとEVのための両面冷却による200kVA小型IGBTモジュール

20kVA Compact IGBT Modules with Double-Sided Cooling for HEV and EV

著者 (8件)： CHANG Hsueh-Rong (International Rectifier Corp., CA) ,  BU Jiankang (International Rectifier Corp., CA) ,  HAUENSTEIN Henning (International Rectifier Corp., CA) ,  WITTMANN Michael (International Rectifier Corp., CA) ,  MARCINKOWSKI Jack (International Rectifier Corp., CA) ,  PAVIER Mark (International Rectifier Corp., CA) ,  PALMER Scott (International Rectifier Corp., CA) ,  TOMPKINS Jim (International Rectifier Corp., CA)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 299-302  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 両面冷却による,IGBTとダイオードを用いた定格電流が300Aで,阻止電圧が650Vの高電力小型IGBTハーフブリッジモジュールを開発した。ワイヤレスパッケージのビルディングブロックは定格電力が200kVAで面積が28.5mm×16mmである。ワイヤレスパッケージにおいて,300Aで1.6Vの低オン状態電圧を達成した。

シソーラス用語： ハイブリッド自動車 ,  *IGBT ,  回路モジュール ,  電流電圧特性 ,  ターンオン ,  ターンオフ ,  冷却 ,  ブリッジ回路 ,  導電性 ,  電気自動車 ,  電装品
準シソーラス用語： ハーフブリッジ ,  ハイブリッド電気自動車 ,  電力モジュール

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： HEV ,  EV ,  両面 ,  IGBT ,  モジュール