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J-GLOBAL ID：201202216526934415   整理番号：12A1067179

スーパーキャパシタ利用のための単純な連続イオン層吸着および反応(SILAR)法によるポリチオフェン薄膜の合成

Synthesis of polythiophene thin films by simple successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method for supercapacitor application

著者 (3件)： PATIL B.h. (Thin Film Physics Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416 004, MS, IND) ,  JAGADALE A.d. (Thin Film Physics Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416 004, MS, IND) ,  LOKHANDE C.d. (Thin Film Physics Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416 004, MS, IND)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 162  号： 15-16  ページ： 1400-1405  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,室温でポリチオフェン薄膜を単純かつ安価な連続イオン層吸着および反応(SILAR)法により作製した。チオフェン単量体の酸化重合は酸化剤としてFeCl₃を用いて行った。チオフェン重合のため,カチオン前駆体としてアセトニトリル溶液中のチオフェンとアニオン性前駆体としての二重蒸留水中のFeCl₃溶液を含む2個のビーカーのSILAR系を用いた。ポリチオフェン膜の物理化学的性質を,構造的,モルフォロジー的,光学的および電気的特性解析で研究した。ポリチオフェン膜に対して,XRDは非晶質ポリチオフェンの形成を示し,電気的及び光学的研究はp型電気伝導度とバンドギャップ2.90eVを示した。ポリチオフェン電極の電気化学的性能をサイクリックボルタンメトリー(CV)と定電流充放電測定を用いて評価した。0.1M-LiClO₄溶液中で252Fg^-1の比容量を得た。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリチオフェン ,  化学合成 ,  *高分子薄膜 ,  *電力コンデンサ ,  電気伝導率 ,  非晶質 ,  バンドギャップ ,  静電容量
準シソーラス用語： *スーパーキャパシタ ,  高分子合成

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (6件)： スーパーキャパシタ ,  イオン ,  吸着 ,  法 ,  ポリチオフェン ,  薄膜