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J-GLOBAL ID：201202216546347877   整理番号：12A0834539

ZnO/Au/ZnO透明導電膜のアニーリング効果

Annealing effect of ZnO/Au/ZnO transparent conductive films

著者 (7件)： LEE H.m. ,  LEE Y.j. ,  KIM I.s. ,  KANG M.s. ,  HEO S.b. ,  KIM Y.s. ,  KIM Daeil
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 10  ページ： 1494-1498  発行年： 2012年04月27日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au中間層ZnO(ZAZ)薄膜を高周波及び直流マグネトロンスパッタリングによってガラス基板上に作製し,真空アニールした。ZAZ薄膜の各層の厚さはそれぞれ50nm,3nm,47nmにセットした。ZAZ薄膜の構造,電気的及び光学的性質をアニーリング温度を変えて研究した。堆積されたままのAZO薄膜はZnO(002)とAu(111)に対応するX線回折ピークを示し,これらのピーク強度は堆積後の真空アニーリングによって増加した。薄膜の光学的及び電気的性質は堆積後アニーリングによって強く影響される。薄膜の光透過率はAu中間層によって劣化するけれども,堆積したままのZAZ薄膜は2.0×10^-4Ωcmの低抵抗率を示し,300°Cでアニールされた薄膜は9.8×10^-5のより低い抵抗率を有した。薄膜の仕事関数はアニーリング温度と共に増加し,300°Cでアニールされた薄膜は150°Cでアニールされた薄膜よりも高い4.1eVの仕事関数を有した。これらの実験結果は真空アニールZAZ薄膜が太陽電池や大面積ディスプレイのような大面積電子応用における透明電極としての利用に魅力的な候補であることを示している。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *金 ,  多層膜 ,  *透明導電膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  焼なまし ,  透過率 ,  光学定数 ,  電気抵抗率 ,  透明電極 ,  X線回折 ,  優先配向
準シソーラス用語： ガラス基板

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  Au ,  透明導電膜 ,  アニーリング効果