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J-GLOBAL ID：201202216586843176   整理番号：12A1309692

GaNオンSiC高電子移動度パワートランジスタとMMICのレビュー

A Review of GaN on SiC High Electron-Mobility Power Transistors and MMICs

著者 (5件)： PENGELLY Raymond S. (Cree Inc., NC, USA) ,  WOOD Simon M. (Cree Inc., NC, USA) ,  MILLIGAN James W. (Cree Inc., NC, USA) ,  SHEPPARD Scott T. (Cree Inc., NC, USA) ,  PRIBBLE William L. (Cree Inc., NC, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 60  号： 6,Pt.2  ページ： 1764-1783  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)とモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)は近年著しく進歩し,パルスレーダや対簡易爆発物(IED)ジャマーやCATVモジュールを初めとして,第4世代インフラ基地局に至る広い分野で実用されている。本論文は,GaN HEMT技術について,他の半導体技術に対比してその広いバンドギャップが持つ利点に関してレビューした。AlGaN/GaNオンSiCの代表的製造技術を概観し,次に,ハイブリッド回路とモノリシック回路の両方について正確な設計ができる小信号及び大信号モデルを示した。さらに,広帯域電力増幅器(PA)と高効率PAの実例を多数紹介し,それらの熱設計と頑健性について述べた。

シソーラス用語： *HEMT ,  *MMIC ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  レーダ ,  CATV ,  基地局 ,  技術 ,  バンドギャップ ,  モデル ,  広帯域増幅器 ,  半導体技術
準シソーラス用語： *GaN ,  SiC ,  パルスレーダ ,  大信号モデル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  SiC ,  電子移動度 ,  パワートランジスタ ,  MMIC ,  レビュー