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J-GLOBAL ID：201202216732096159   整理番号：12A0612406

太陽品質シリコンにおける少数キャリア寿命のゲッタリング改善

Gettering improvements of minority-carrier lifetimes in solar grade silicon

著者 (9件)： OSINNIY V. (Dep. of Physics and Astronomy, Aarhus Univ., DK-8000 Aarhus C, DNK) ,  OSINNIY V. (RAcell Solar A/S, DK-1820 Frederiksberg C, DNK) ,  NYLANDSTED LARSEN A. (Dep. of Physics and Astronomy, Aarhus Univ., DK-8000 Aarhus C, DNK) ,  HVIDSTEN DAHL E. (Dep. of Physics and Astronomy, Aarhus Univ., DK-8000 Aarhus C, DNK) ,  HVIDSTEN DAHL E. (Elkem Solar A/S, N-4675 Kristiansand, NOR) ,  ENEBAKK E. (Elkem Solar A/S, N-4675 Kristiansand, NOR) ,  SOILAND A.-k. (Elkem Solar A/S, N-4675 Kristiansand, NOR) ,  TRONSTAD R. (Elkem Solar A/S, N-4675 Kristiansand, NOR) ,  SAFIR Y. (RAcell Solar A/S, DK-1820 Frederiksberg C, DNK)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 101  ページ： 123-130  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Elkem Solarで生産したp型太陽品質シリコンにおける少数キャリア寿命を熱処理条件を変えて調べた。成長直後の寿命が異なる2グループの試料を,一定および可変温度処理を利用して内部的およびリンのゲッタリングに曝した。それぞれの試料グループについて,太陽電池に必要な最小値以上に少数キャリア寿命を改善できる最適熱処理パラメータを同定した。可変温度工程を利用したリンゲッタリングが,それぞれのグループの寿命を増大し,場合によっては寿命を3から81μsまで増大することが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 太陽電池 ,  P型半導体 ,  *キャリア寿命 ,  *熱処理 ,  温度 ,  *ゲッタリング ,  *少数キャリア
準シソーラス用語： *結晶シリコン太陽電池 ,  熱処理温度 ,  アニーリング温度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 太陽 ,  シリコン ,  少数キャリア寿命 ,  ゲッタリング