文献

J-GLOBAL ID：201202216824116601   整理番号：12A0266005

ゲート絶縁体として高k HfO₂を用いて室温製造した透明非晶質酸化インジウム亜鉛ベースの薄膜トランジスタ

Room temperature fabricated transparent amorphous indium zinc oxide based thin film transistor using high-κ HfO₂ as gate insulator

著者 (4件)： LIN Wen-kai ,  LIU Kou-chen ,  CHANG Shu-tong ,  LI Chi-shiau
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 7  ページ： 3079-3083  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,本研究で,非晶質酸化物透明薄膜トランジスタ(TFT)を,室温でのDCマグネトロンスパッタリングを用いて製造し,その性能を報告した。非晶質酸化インジウム亜鉛(a-IZO,In₂O₃:ZnO,90:10重量%)の薄膜,および高k酸化ハフニウム(HfO₂)の薄膜を,アルゴン-酸素混合気体雰囲気で,それぞれ,半導体チャネルおよびゲート絶縁体として蒸着した。ここで報告する透明TFT構造は,ボトムゲート型で,ゲート電極およびソース/ドレイン電極として,それぞれ,酸化インジウムスズおよびアルミニウムを用いた。a-IZOの可視領域での光透過率は84%超であった。このa-IZO TFTは,電界効果飽和移動度,I_on/I_off比,サブ閾値スイングおよび閾値電圧の値として,それぞれ13.09cm²/Vs,4×10⁵,0.42V/decadeおよび3.54Vを有することを記した。ここで報告した室温スパッタ高k HfO₂ゲート誘電体を有するa-IZO TFTは,高品質特性を示し,柔軟な有機物基板上のオプトエレクトロニクス素子の低温製造への応用に対する優れた候補として利用できることを指摘した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *誘電体 ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *酸化ハフニウム ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  室温 ,  *非晶質 ,  キャリア移動度 ,  可視スペクトル ,  雰囲気 ,  混合気体 ,  アルゴン ,  酸素
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  光透過スペクトル ,  高κゲート誘電体 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  透明導電性酸化物

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁体 ,  HfO2 ,  室温 ,  非晶質 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  薄膜トランジスタ