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J-GLOBAL ID：201202216864296653   整理番号：12A0416654

170keVないしは1MeV電子照射により形成されたn型およびp型4H-SiCエピ層の低温光ルミネセンス測定に基づく欠陥重心の熱履歴

Thermal histories of defect centers as measured by low temperature photoluminescence in n- and p-type 4H SiC epilayers generated by irradiation with 170keV or 1MeV electrons

著者 (12件)： YAN F. (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  DEVATY R. P. (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  CHOYKE W. J. (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  DANNO K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ALFIERI G. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONODA S. (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  OHSHIMA T. (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  RESHANOV S. A. (Acreo AB, Kista-Stockholm, SWE) ,  BELJAKOWA S. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  ZIPPELIUS B. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  PENSL G. (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 645/648  号： Pt.1  ページ： 419-422  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子照射 ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  低温 ,  光ルミネセンス ,  欠陥 ,  重心 ,  熱履歴