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J-GLOBAL ID：201202216887964408   整理番号：12A1773379

蒸着法で作った高度に導電性で透明なGa₂O₃ドープZnO薄膜

Highly conducting and transparent Ga₂O₃ doped ZnO thin films prepared by thermal evaporation method

著者 (3件)： PALIMAR Sowmya (National Inst. of Technol. Karnataka, Thin Film Lab., Physics Dep., 575025, Surathkal, Karnataka, IND) ,  BANGERA Kasturi V. (National Inst. of Technol. Karnataka, Thin Film Lab., Physics Dep., 575025, Surathkal, Karnataka, IND) ,  SHIVAKUMAR G. K. (National Inst. of Technol. Karnataka, Thin Film Lab., Physics Dep., 575025, Surathkal, Karnataka, IND)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 12  ページ： 1545-1548  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化亜鉛膜を純粋の酸化亜鉛粉体の蒸発により得た。膜は90Ω^-1cm^-1と言う良好な伝導率と90%を超す透過率を可視域で示した。酸化ガリウムのドーピングにより伝導率は大幅に改善し8.7×10³Ω^-1cm^-1を観測し,膜の光学バンドギャップは透過率はそのままで3.25から3.2eVまで下がった。活性化エネルギーの測定は,ドープしたZnOは伝導バンドの下68と26meVにドナー準位を持つことを示した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  電気伝導率 ,  透過率 ,  *光学ギャップ ,  活性化エネルギー ,  *不純物準位 ,  *非晶質 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *ドナー準位 ,  光学バンドギャップ

分類 (3件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蒸着 ,  導電性 ,  Ga2O3 ,  ドープ ,  ZnO薄膜