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J-GLOBAL ID：201202216906879239   整理番号：12A1529566

金属ケイ化物上の単結晶ゲルマニウム膜の原子的に制御されたエピタキシャル成長

CommunicationAtomically Controlled Epitaxial Growth of Single-Crystalline Germanium Films on a Metallic Silicide

著者 (4件)： YAMADA Shinya (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TANIKAWA Kohei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HAMAYA Kohei (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 10  ページ： 4703-4707  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい合成法によって,金属ケイ化物,Fe₃Si上に高品質の単結晶Ge膜を生成した。分子ビームエピタキシー(MBE)法によると,Fe₃Si(111)面にいくつかのSiあるいはFe原子層を終端とする表面構造を人工的に形成することができた。原子間力顕微鏡(AFM),走査型電子顕微鏡(SEM),および反射高エネルギー電子回折(RHEED)によってこれらの構造を解析すると,このうちSi終端のFe₃Si表面のみが2DのエピタキシャルGe膜に成長することがわかった。この方法によって成長した高品質のGe膜はほとんどゆがみがなかった。これはGe膜が低温成長のSi緩衝層上では成長しないが,よく整合したFe₃Si上では成長できることを示している。この方法は金属ソース/ドレーン接触の縦型Geチャンネルトランジスタに適用できるであろう。

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *鉄化合物 ,  ファセット ,  基板 ,  *ゲルマニウム ,  *単結晶 ,  *MBE成長 ,  表面構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  RHEED ,  結晶度 ,  バッファ層 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  半導体接合 ,  *接合形トランジスタ ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： *ケイ化鉄

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ケイ化物 ,  単結晶 ,  ゲルマニウム ,  原子 ,  エピタキシャル成長