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J-GLOBAL ID:201202216910829165   整理番号:12A1642553

有機金属前駆体の溶液ベース処理及び低温処理による光学的及びエレクトロニクス的応用のためのZnO層

ZnO layers for opto-electronic applications from solution-based and low-temperature processing of an organometallic precursor
著者 (7件):
資料名:
巻: 22  号: 39  ページ: 20896-20901  発行年: 2012年10月21日 
JST資料番号: W0204A  ISSN: 0959-9428  CODEN: JMACEP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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印刷された柔軟なプラスチック電子ガジェットは今日日増しに有用となっているので,内在する作製過程に適した材料の開発が必須となる。二つの好まれる要請は,溶液処理可能な活性化材料または前駆体,並びに低温処理可能性である。本稿では,有機金属ジエチル亜鉛前駆体溶液の単純なスピンコーティングによるZnO膜の単純な方法,並びにほかの合成ステップなしの得られる膜の低温(200°C以下)でのアニーリングを記述する。アニーリング処理の湿度調整により,ジエチル亜鉛誘導ZnOにおける固有のドーピングレベル及びキャリア濃度の調節が可能である。ドープされたまたは処理された輸送層は未ドープ層と比し低抵抗接触及び電位低下の最小化を可能にする。ドープZnOの制御可能性の実現は,本稿で記述する製作過程の鍵となる特徴である。ドーピングレベルの測定の診断ツールとして電界効果測定を用い,高電荷キャリア濃度のドープZnOは太陽電池的応用に理想的である。電子輸送層及び活性材料の有機ブレンドとしてジエチル亜鉛誘導ZnO膜への連結でパワー転換効率(最大4.5%)が逆転太陽電池において達成される。三成分または四成分膜への成長へのその方法の拡張は,それらのドープ法と同様,多数の半導体膜の成長に基づく溶液法を可能にする
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分類 (2件):
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塩基,金属酸化物  ,  光電デバイス一般 
物質索引 (1件):
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