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J-GLOBAL ID:201202216924730030   整理番号:12A0274192

自然酸化したp型HgCdTe薄膜のn型表面の二次元電子及び塊状電子の競合する伝導機構

Competing conduction mechanisms of two-dimensional electrons and bulk-like electrons in the n-type surface of the naturally oxidized p-type HgCdTe thin film
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資料名:
巻: 106  号:ページ: 703-707  発行年: 2012年03月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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自然酸化したp型Hg<sub>0.776</sub>Cd<sub>0.224</sub>Te薄膜の表面輸送特性を磁場0~14T,温度8~300Kの範囲で調べた。Hall電子濃度は温度と共に上昇したが,Shubnikov-de Haas振動により計算した二次元電子の表面濃度は温度<20K領域で温度上昇と共に低下した。表面領域に温度>8Kで表面輸送特性を支配する余分な塊状電子を仮定して,矛盾と異常な量子Hall充填因子を説明した。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.
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半導体結晶の電気伝導 
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