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J-GLOBAL ID：201202217029247150   整理番号：12A0441240

トラッピング特性からのAlGaN/GaN HEMTでのバルクトラップと表面トラップの間の識別

On the discrimination between bulk and surface traps in AlGaN/GaN HEMTs from trapping characteristics

著者 (3件)： TAPAJNA Milan (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  JIMENEZ Jose L. (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  KUBALL Martin (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 2  ページ： 386-389  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の表面酸素含有量を持つGaN HEMTを研究した。SiC基板上にMOCVDによって成長させたGaN/AlGaN/GaN HEMTを,標準的なIII-Vプロセスを用いて作製した。表面トラップの効果を研究するために,表面酸素含有量の異なる試料を作製した。より高い表面酸素含有量を持つ素子(HEMTB)は,表面酸素含有量の少ない素子(HEMTA)に対して観測した30%と比較して,約10%のかなり小さい電流コラプスを示した。HEMTBに対する表面酸化物層は,表面トラップを不動態化することを示唆した。室温で測定した単純なオンウエハトラッピング特性は,信号極性とフィリングパルス振幅依存性に基づいて,バルクトラップと表面トラップを識別することができることを示した。

シソーラス用語： *HEMT ,  *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  キャリア捕獲 ,  不動態化 ,  含有量 ,  濃度依存性 ,  MOCVD ,  基板 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 酸素含有量 ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  電荷トラッピング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： トラッピング ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  バルク ,  トラップ ,  識別