フォトニック結晶の局所電子状態と欠陥状態の結合による全シリコンレーザ

HUANG Wei-qi; HUANG Zhong-mei; MIAO Xin-jiang; CAI Chen-lan; LIU Jia-xin; LUE Quan; LIU Shi-rong; QIN Chao-jian

文献

J-GLOBAL ID：201202217068569598 整理番号：12A0098145

フォトニック結晶の局所電子状態と欠陥状態の結合による全シリコンレーザ

An all-silicon laser by coupling between electronic localized states and defect states of photonic crystal

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資料名：

Applied Surface Science (Applied Surface Science)

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巻： 258 号： 7 ページ： 3033-3038 発行年： 2012年01月15日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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Si量子ドット(QD)ナノレーザにおいては,ナノ秒パルスレーザにより作製した小さいQDは量子閉込め効果によって同調されたポンピング準位を形成することができる。表面結合の局在状態により形成された活性中心と二次元(2D)フォトニック結晶の結合を使用してナノレーザのモデルを選択した。約600nm及び700nmの誘導放出ピークが誘導放出を改良するためのアニール後に酸素中で作製したSiQDで観測された。表面結合により形成された欠陥によるギャップ中の局在電子状態と2Dフォトニック結晶の欠陥によるギャップ中の局所フォトニック状態を比較することは興味あることである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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