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J-GLOBAL ID：201202217093947807   整理番号：12A1612326

集束He⁺ビーム描画で作製したKTiOPO₄非線形結晶の埋込みチャネル導波路

Buried channel waveguides in KTiOPO₄ nonlinear crystal fabricated by focused He⁺ beam writing

著者 (7件)： DONG Ningning (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials and Key Lab. of Particle Physics and Particle Irradiation ...) ,  YAO Yicun (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials and Key Lab. of Particle Physics and Particle Irradiation ...) ,  JIA Yuechen (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials and Key Lab. of Particle Physics and Particle Irradiation ...) ,  CHEN Feng (School of Physics, State Key Lab. of Crystal Materials and Key Lab. of Particle Physics and Particle Irradiation ...) ,  VANGA Sudheer Kumar (Centre for Ion Beam Application, Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Singapore 117542, SGP) ,  BETTIOL Andrew Anthony (Centre for Ion Beam Application, Dep. of Physics, National Univ. of Singapore, Singapore 117542, SGP) ,  LU Qingming (School of Chemistry and Chemical Engineering, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 35  号： 2  ページ： 184-186  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい方法,すなわち集束He⁺イオンビーム描画を使ったKTiOPO₄チャネル導波路の作製に関して報告した。直径0.5μm,2MeVのHe⁺ビームの直接描画により,正の屈折率変化をもつ局所的な改質領域がHe⁺の軌跡の端に形成され,TEおよびTM偏光の両方をサポートする埋め込みチャネル導波路が形成される。計算した導波路のモード分布は実験の近接場強度分布とよく一致した。決定した伝送損失は約0.7dB/cmと低く,いろいろなフォトニック用途に対して良好な導波特性を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 非線形光学材料 ,  *カリウム化合物 ,  *チタン化合物 ,  *リン酸塩 ,  集束イオンビーム ,  ヘリウム ,  *リソグラフィー ,  1-10MeV ,  *導波路 ,  埋込み【挿入】 ,  *光導波路 ,  TEモード ,  TMモード ,  光伝搬 ,  伝送損失 ,  光屈折効果
準シソーラス用語： *KTP【化合物】 ,  *イオンビームリソグラフィー ,  *チャネル導波路

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集束 ,  ビーム ,  描画 ,  作製 ,  非線形結晶 ,  埋込み ,  チャネル導波路