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J-GLOBAL ID：201202217101335018   整理番号：12A1762982

単一グラフェンナノリボンの電圧依存コンダクタンス

Voltage-dependent conductance of a single graphene nanoribbon

著者 (5件)： KOCH Matthias (Max-Planck-Soc., Berlin, DEU) ,  AMPLE Francisco (Inst. Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  JOACHIM Christian (Inst. Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  JOACHIM Christian (CEMES, CNRS, Toulouse, FRA) ,  GRILL Leonhard (Max-Planck-Soc., Berlin, DEU)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 7  号： 11  ページ： 713-717  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ワイヤ(長さd)のコンダクタンスはG(d)=G₀e^-βdに従い,指数崩壊する。ただし,G₀は定数コンダクタンス,βは,ワイヤをとおる逆崩壊長。逆崩壊長は,Fermi準位E_Fに対するHOMO並びにLUMOの位置,そのエネルギー差E_g,及びトンネリング接合中の電子の有効質量に依存する。ギャップのトンネリング状態を保持する分子の電子状態をとおして,E_g値を固定して,コンダクタンスを制御できるので,グラフェンナノリボンは,制御されたコンダクタンス特性を持つ分子ワイヤの作成に利用できる可能性がある。細いグラフェンナノリボンが,Au(111)上で研究された。ボトムアップ表面上重合は,精密に規定された分子構造を生成する。10,10’-ジブロモ-9,9’ビアントリル分子を用いて,グラフェンナノリボンを製造した。すべての実験は,超真空条件下の~10Kの温度で,走査トンネリング顕微鏡により実行された。トンネリング減衰長さは,-1.8と+2.4の間のバイアス電圧,ナノリボンの対応するHOMO,LUMO及びTamm状態にわたって測定された。ナノリボンのコンダクタンスが,接合の正確な原子構造,及び分子の屈曲に依存することを示し,エッジ状態及び平面ジオメトリの重要性を例証する。

シソーラス用語： 炭素材 ,  *グラファイト ,  ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *コンダクタンス ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  エネルギーギャップ ,  LUMO ,  HOMO ,  束縛状態 ,  電気伝導 ,  電圧 ,  電圧依存性 ,  グラフェン
準シソーラス用語： ナノリボン ,  HOMO-LUMOギャップ ,  Tamm状態 ,  バイアス電圧

分類 (3件)： 非金属化合物に見られる電子伝導  (BM03034D) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェンナノリボン ,  コンダクタンス