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J-GLOBAL ID：201202217143760851   整理番号：12A0507794

異なるTiNメタルゲート厚さと高kゲート誘電体をもつpおよびn-MuGFETデバイスのGIDL挙動

GIDL behavior of p- and n-MuGFET devices with different TiN metal gate thickness and high-k gate dielectrics

著者 (7件)： GALETI M. (LSI/PSI/USP, Univ. of Sao Paulo, Av. Prof. L. Gualberto, tr. 3158, 05508-010 Sao Paulo, BRA) ,  RODRIGUES M. (LSI/PSI/USP, Univ. of Sao Paulo, Av. Prof. L. Gualberto, tr. 3158, 05508-010 Sao Paulo, BRA) ,  MARTINO J.a. (LSI/PSI/USP, Univ. of Sao Paulo, Av. Prof. L. Gualberto, tr. 3158, 05508-010 Sao Paulo, BRA) ,  COLLAERT N. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  SIMOEN E. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  CLAEYS C. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  CLAEYS C. (EE Depart., KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, B-3001 Leuven, BEL)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 70  ページ： 44-49  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,異なるTiNメタルゲート厚さと高kゲート誘電体をもつpおよびn-MuGFET構造でのゲート誘発ドレインリーク(GIDL)を研究する。本解析の結果,異なるゲート酸化膜の厚さとメタルゲート仕事機能の減少のため,より薄いTiNメタルゲートが,より大きいGIDLを示すことが観測された。さらに,SiONを高k誘電体(HfSiON)で置き変えた結果は,nMuGFETsにたいしてGIDLの減少となった。他方で,pチャネルMuGFETsにおいて,ゲート誘電体がGIDLに及ぼす影響はわずかである。また,チャンネル幅の効果も調べたが,より大きい鉛直電場が予測されたにもかかわらず,GIDL電流の減少を示した。最後に,チャンネルタイプの効果を比較したところ,pMuGFETデバイスに対してGIDL電流の増大が観測された。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  誘電体 ,  *漏れ電流
準シソーラス用語： *MuGFET ,  高k誘電体 ,  *GIDL

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： TiN ,  メタルゲート ,  ゲート誘電体 ,  GIDL ,  挙動