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J-GLOBAL ID：201202217176718966   整理番号：12A0957294

可変可視光MEMS FPIに基づくモノリシックに集積したチップ上の微小分光計

Monolithically integrated microspectrometer-on-chip based on tunable visible light MEMS FPI

著者 (5件)： RISSANEN Anna (VTT Technical Res. Center of Finland, TT3 PL1000, FIN-02044 VTT Espoo, FIN) ,  KANTOJAERVI Uula (VTT Technical Res. Center of Finland, TT3 PL1000, FIN-02044 VTT Espoo, FIN) ,  BLOMBERG Martti (VTT Technical Res. Center of Finland, TT3 PL1000, FIN-02044 VTT Espoo, FIN) ,  ANTILA Jarkko (VTT Technical Res. Center of Finland, TT3 PL1000, FIN-02044 VTT Espoo, FIN) ,  ERAENEN Simo (VTT Technical Res. Center of Finland, TT3 PL1000, FIN-02044 VTT Espoo, FIN)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 182  ページ： 130-135  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,IC準拠した微細加工技術を用いてPINフォトダイオード上にモノリシックに集積化した可変MEMS Fabry-Perot干渉計(FPI)からなる可視分光領域の新規チップオン微小分光計を示す。MEMS FPIは静電的に(AC電圧)駆動する構造であり,本構造は,420~550nmの波長領域で容量性可変できるように上部と下部にアルミニウム円形電極を埋込んだAl₂O₃/TiO₂の2つの並行な原子層堆積Bragg積層ミラーからなる。デバイスを成功裏に完成するための製造プロセスフローを示す。デバイスの分光応答は540nmで8nmの透過ピーク幅を有し,λ=420nmで0.1A/Wからλ=550nmで0.2A/Wの領域にある。これらの結果により,集積化FPIフィルタ構造の良好な透過率特性と共に,フォトダイオード特性は,この波長領域で利用できる市販のフォトダイオードの典型的な感度レベルと一致することを示す。一方,モノリシック製造プロセスにより分光器のロバスト性と量産能力を高める。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *可視光 ,  *MEMS ,  集積 ,  半導体チップ ,  *分光計 ,  PINダイオード ,  フォトダイオード ,  *Fabry-Perot干渉計 ,  アルミニウム ,  ロバスト性 ,  回折格子 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： Bragg格子 ,  チップ【IC】 ,  モノリシック集積化 ,  可視分光 ,  可視分光計 ,  集積化

分類 (2件)： 分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 可変 ,  可視光 ,  MEMS ,  集積 ,  微小 ,  分光計