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J-GLOBAL ID：201202217221599868   整理番号：12A1602154

マイクロ波およびミリメートル波集積回路のための半導体基板上のフェライト膜の成長

Ferrite film growth on semiconductor substrates towards microwave and millimeter wave integrated circuits

著者 (2件)： CHEN Z. (Center for Microwave Magnetic Materials and Integrated Circuits, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts, 02115, USA) ,  HARRIS V. G. (Center for Microwave Magnetic Materials and Integrated Circuits, Northeastern Univ., Boston, Massachusetts, 02115, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 8  ページ： 081101-081101-11  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子システムの作動周波数がマイクロ波とミリメートル波バンドに移動するにつれて,半導体固体活性デバイスをもつフェライトパッシブデバイスの集積はとりわけ,改良されたミニチュア化,バンド幅,速度,パワーおよび製造コストにおいて重要な利点をもっていることは広く認識されている。マイクロ波集積回路内では膜としてフェライトを集積する試みにもかかわらず,伝統的にフェライトは離散的なバルクの形で採用されて来た。フェライトと半導体材料間の不和合性とそれらの処理プロトコルを中心とする技術的な障壁が残っている。このレビューでは,オンチップフェライトと半導体デバイス,アッセンブリとシステムの完全な集積を実現するための最も有望な方法を調べる目的で,半導体プラットフォームをもつフェライト集積に関する過去と現在の努力を紹介した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *固体素子 ,  集積 ,  *マイクロ波集積回路 ,  EHF波 ,  *薄膜成長 ,  基板
準シソーラス用語： *フェライトデバイス ,  ミリメートル波

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： マイクロ波 ,  ミリメートル波 ,  集積回路 ,  半導体基板 ,  フェライト ,  成長