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J-GLOBAL ID：201202217244398126   整理番号：12A1348357

低電圧酸化物薄膜トランジスタ用ゲート絶縁体としての溶液加工酸化ハフニウム

Solution processed hafnium oxide as a gate insulator for low-voltage oxide thin-film transistors

著者 (3件)： AVIS Christophe ,  KIM Youn Goo ,  JANG Jin
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 34  ページ： 17415-17420  発行年： 2012年09月14日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上にモリブデン電極パターンを形成し,窒素雰囲気下で塩化ハフニウムのエチレングリコール溶液をスピンコートし,空気中230°Cで加熱する操作を繰返して厚さ65nmの酸化ハフニウム(HfO_x)高k誘電体膜を調製した。この上にソース/ドレインをパターン形成した後,酸化亜鉛スズ(ZTO)のアセトニトリル溶液をスピンコートすることによって薄膜トランジスタを作製した。この薄膜トランジスタの性能を評価し,良好な結果を得た。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  亜鉛化合物 ,  スズ化合物 ,  酸化ハフニウム ,  *誘電体 ,  *スピンコーティング ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： *高k誘電体

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電圧 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  ゲート絶縁体 ,  溶液 ,  酸化ハフニウム