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J-GLOBAL ID：201202217312521306   整理番号：12A0716452

狭スペクトル幅の高出力高効率モノリシックエッジ発光GaAsレーザ

High-Power, High-Efficiency Monolithic Edge-Emitting GaAs-Based Lasers with Narrow Spectral Widths

著者 (9件)： CRUMP P. ,  BROX O. ,  BUGGE F. ,  FRICKE J. ,  SCHULTZ C. ,  SPREEMANN M. ,  SUMPF B. ,  WENZEL H. ,  ERBERT G.
資料名： Semiconductors and Semimetals  (Semiconductors and Semimetals)
巻： 86  ページ： 49-91  発行年： 2012年 
JST資料番号： H0543B  ISSN： 0080-8784  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長寿命で高光パワーを効率よく出力する600~1100nmの範囲のGaAsに基づくエッジ発光レーザダイオードが広く商用に供されている。しかし,多くの応用に使用するにはスペクトル幅が広すぎる(4~5nm,パワー含有率95%時)ため,特別の対策が必要である。近年,技術上のまた設計上の進歩によりスペクトル線幅が1nm未満で光出力パワーが1Wを超えるモノリシックデバイスが実現可能になった。本章でこれらの発展とその基礎となる技術を概観した。論じた技術要素には大面積にわたる格子パターニング技術とその全レーザ構造への実装法を,また格子には表面格子とエピタキシャル過成長の格子を含めた。必要なシミュレーション手法と設計過程も概観した。最後に,高出力で横方向の単一モードおよびマルチモード構造,テーパー付きレーザ,および新エッジ発光共振器を含め今日までに達成された性能を提示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *高出力レーザ ,  *半導体レーザ ,  スペクトル線幅 ,  ヒ化ガリウム ,  一体構造 ,  分布帰還形レーザ ,  DBRレーザ ,  格子形成 ,  パターン形成 ,  エピタクシー ,  単一モード ,  多モード ,  光共振器 ,  技術展望
準シソーラス用語： モノリシック構造

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： スペクトル ,  高出力 ,  高効率 ,  エッジ ,  GaAs ,  レーザ