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J-GLOBAL ID：201202217364628796   整理番号：12A1763451

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃薄膜の表面状態での外部電場の変調

Modulation of external electric field on surface states of topological insulator Bi₂Se₃ thin films

著者 (3件)： LIU Genhua (Coll. of Computer and Information Engineering, Central South Univ. of Forestry and Technol., Changsha 410004, CHN) ,  ZHOU Guanghui (Dep. of Physics and Key Lab. for Low-Dimensional Quantum Structures and Manipulation (Ministry of Education), Hunan ...) ,  CHEN Yong-hai (Key Lab. of Semiconductor Material Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., P.O. Box 912, Beijing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 22  ページ： 223109-223109-4  発行年： 2012年11月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部電場下のBi₂Se₃薄膜の表面バンド構造とトポロジカル相転移を理論的に調べた。薄膜表面と垂直な電場によって,表面状態に対するギャップが閉じ,あるいは再び開くことを実証した。膜上の電場がない領域とある領域との間の界面接合を通るスピン依存の輸送特性も調べた。面白いことに,この接合を通る下向きスピンのDiracフェルミオンの不透明度と透明度は,入射角と電場強度を変化して変調できる。これとは対照的に,上向きスピンDiracフェルミオンはこの接合を通って常に侵入する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： セレン化物 ,  ビスマス化合物 ,  絶縁材料 ,  表面準位 ,  電場効果 ,  バンド構造 ,  相転移 ,  バンドギャップ ,  *電子スピン ,  フェルミオン ,  透明度 ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *セレン化ビスマス ,  *表面状態 ,  表面バンド構造 ,  トポロジカル相転移 ,  *Diracフェルミオン

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  外部電場 ,  変調