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J-GLOBAL ID：201202217501579226   整理番号：12A1316171

450°CでアニールしたBiFe_0.995W_0.005O₃薄膜の大きくて一様な圧電応答

Large and uniform piezoresponse of BiFe_0.995W_0.005O₃ thin film annealed at 450 °C

著者 (6件)： ZHANG Hongyan (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN) ,  CHENG Ling (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN) ,  JIANG Bo (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN) ,  SUN Wen (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN) ,  LIU Jingjing (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN) ,  HU Guangda (Univ. of Jinan, School of Materials Sci. and Engineering, 250022, Jinan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 23  号： 10  ページ： 1864-1868  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 500°C以下のアニール温度で有機金属分解プロセスを用いて,BiFe_0.995W_0.005O₃膜をエピタキシャルにLaNiO₃(100)/Si基板上に堆積した。X線回折測定は,その膜が450°Cのアニール温度でよく結晶化されることを明らかにした。漏れ電流解析は,その膜の粒界の内容がBiFe_0.995W_0.005O₃膜の漏れ電流に影響する支配的な要素であることを示した。よく飽和した分極-電界ヒステリシスループが,低い漏れ電流により全ての結晶化したBiFe_0.995W_0.005O₃膜において得られた。450°Cでアニールした膜は大きな残留圧電係数d₃₃(128pm/V)を示し,それは500°CでアニールしたBiFe_0.995W_0.005O₃膜のそれに匹敵する。さらに,最も一様な圧電応答は,全ての結晶化膜の中で450°CでアニールしたBiFe_0.995W_0.005O₃膜において観察でき,それは,一様な磁区構造と膜中の均質な粒子サイズにより膜に加えられた有効電界により説明できる。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  焼なまし ,  *エピタクシー ,  *ビスマス化合物 ,  *鉄化合物 ,  *タングステン酸塩 ,  MEMS ,  *強誘電体 ,  *圧電体 ,  X線回折 ,  漏れ電流 ,  結晶粒界 ,  結晶粒度 ,  MOCVD ,  加熱温度 ,  原子間力顕微鏡 ,  電流密度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： アニール ,  薄膜 ,  圧電応答