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J-GLOBAL ID：201202217580478405   整理番号：12A0256775

電界発光冷却に対するフォトンリサイクリング効果

Photon recycling effect on electroluminescent refrigeration

著者 (2件)： LEE Kuan-chen (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu, Taiwan) ,  YEN Shun-tung (Dep. of Electronics Engineering and Inst. of Electronics, National Chiao Tung Univ., 1001 Ta-Hsueh Road, Hsinchu, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 014511  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaAs/GaAs二重ヘテロ構造について,フォトンリサイクリングを考慮した自己無撞着計算によって,電界発光冷却を検討した。異なるバイアス電圧の素子における種々の再結合機構とキャリア密度に対するリサイクリングの影響を調べた。フォトンリサイクリングはフィードバック過程であり,活性領域に電子-正孔対を生成する内部源となり,外部源による駆動電流を補償する帰還電流を生じる。これにより駆動電流が低下し,外部量子効率が改善され,冷却のためのフォトン抽出効率(PEE)に対する要請が緩和される。活性層GaAsが1μmの素子の300K動作では,捕獲フォトンが完全にリサイクルすれば,最小必要PEEは20%以下となる。達成可能なリサイクル効率90%としても,PEEは45%に止まる。さらに,フォトンリサイクリングは冷却能と外部効率の甚だしい劣化の問題を緩和する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *冷却 ,  エレクトロルミネセンス ,  *リサイクル ,  冷却効率 ,  量子効率 ,  キャリア再結合 ,  キャリア密度 ,  電子正孔対 ,  フィードバック ,  数値計算 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *フォトンリサイクリング ,  電界発光冷却

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  冷凍一般  (PD01000F)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電界発光