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J-GLOBAL ID：201202217631196183   整理番号：12A0931291

熱蒸着法による6,13-ビス(トリイソプロピルシリル)ペンタセントランジスタの電気的および光センシング特性に及ぼす活性層のチャネル幅と厚さの効果 : 比較研究

Effects of channel widths, thicknesses of active layer on the electrical and photosensing properties of the 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene transistors by thermal evaporation method: Comparison study

著者 (2件)： YAKUPHANOGLU Fahrettin (Physics Dep., Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR) ,  GUNDUZ Bayram (Dep. of Sci. Education, Fac. of Education, Mus Alparslan Univ., 49100 Mus, TUR)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 162  号： 13-14  ページ： 1210-1239  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TIPS-ペンタセントランジスタを,各種活性層(TIPS-ペンタセン)の厚さ,および各種チャネル幅でSiO₂層上に熱蒸着法を用いて堆積させることにより作製した,そしてTIPS-ペンタセン(300nm)および(135nm)トランジスタの性能と光特性を比較した。本総説では,各種チャネル幅と活性層の厚さを含むペンタセン薄膜トランジスタの光応答性能を報告した。TIPS-ペンタセン(300nm)および(135nm)トランジスタの性能や光特性を,暗室や白色光の照明下で検討し,TIPS-ペンタセントランジスタの電気特性に及ぼす活性層のチャネル幅と厚さの影響を分析した。TIPS-ペンタセン薄膜トランジスタの界面状態を検討した。トランジスタの光電流機構についても考察した。粗さと粒径のようなTIPS-ペンタセン薄膜のいくつかの重要なモルフォロジーパラメーターを決定した。暗室や白色光の照明下で移動度,閾値電圧,サブ閾値スイング値,感光性,光応答,I_on/I_off比,界面トラップ密度,総トラップ密度および光応答性のようなTIPS-ペンタセントランジスタの電気的および光センシング特性を測定した。ペンタセントランジスタの活性層の厚さおよびチャネル幅がペンタセントランジスタの光応答に重要な役割を果たすことが分かった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリアセン ,  *薄膜トランジスタ ,  *有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *幅 ,  *チャネル ,  *MOS構造 ,  *光センサ ,  *膜厚 ,  *有機ケイ素化合物 ,  *活性層 ,  半導体接合 ,  *真空蒸着 ,  光照射 ,  電圧 ,  閾値 ,  移動度 ,  キャリア移動度 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *チャネル幅 ,  界面トラップ ,  光応答 ,  電界効果トランジスタ ,  *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  *ペンタセン誘導体

分類 (3件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素多環化合物一般  (CF06010S)

物質索引 (1件)： 6,13-ビス[(トリイソプロピルシリル)エチニル]ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱蒸着 ,  ビス ,  光センシング ,  活性層 ,  チャネル幅 ,  厚さ ,  研究