CdS量子ドット増感太陽電池の特性に関するTiCl<sub>4</sub>処理の役割

KIM Jongmin; CHOI Hongsik; NAHM Changwoo; KIM Chohui; NAM Seunghoon; KANG Suji; JUNG Dae-ryong; KIM Jae Ik; KANG Joonhyeon; PARK Byungwoo

文献

J-GLOBAL ID：201202217706990000 整理番号：12A1391701

CdS量子ドット増感太陽電池の特性に関するTiCl₄処理の役割

The role of a TiCl₄ treatment on the performance of CdS quantum-dot-sensitized solar cells

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巻： 220 ページ： 108-113 発行年： 2012年12月15日
JST資料番号： B0703B ISSN： 0378-7753 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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CdS量子ドット増感太陽電池(QDSC)でTiO₂/CdS/ポリスルフィド-電解液界面を検討するために,TiCl₄によりナノ結晶性TiO₂電極上にTiO₂薄膜被覆層を析出させた。このナノスケールの被覆は裸のCdS増感太陽電池と較べて,~40%の電力変換効率を向上させた。効率向上に対する主要な寄与は開回路の減衰,電気化学インピーダンスとクロノアンペロメトリにより確認されたように,表面欠陥が皮膜で保護されることによりTiO₂/ポリスルフィド-電解液界面での再結合速度の減少にある。CdS増感剤の量が被覆層で変わらないと同時に,最適な被覆厚は電解液拡散がQDSCの特性に影響する別な要因であることを実際に示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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