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J-GLOBAL ID：201202217744548337   整理番号：12A0836111

ポリ(N-ビニルカルバゾール)-グラフェン複合体における電気コンダクタンス調整に基づいた不揮発性メモリ素子

Nonvolatile memory devices based on electrical conductance tuning in poly(N-vinylcarbazole)-graphene composites

著者 (5件)： ZHANG Qiang (Key Lab. for Green Chemical Process of Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering, Wuhan Inst. ...) ,  PAN Jie (Key Lab. for Green Chemical Process of Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering, Wuhan Inst. ...) ,  YI Xiang (Key Lab. for Green Chemical Process of Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering, Wuhan Inst. ...) ,  LI Liang (Key Lab. for Green Chemical Process of Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering, Wuhan Inst. ...) ,  SHANG Songmin (Inst. of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 13  号： 8  ページ： 1289-1295  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)-グラフェン複合体の薄膜における電気コンダクタンス調整に基づいた不揮発性メモリ素子が製作される。製作された素子の電流密度-電圧特性はPVK-グラフェン複合体のグラフェン含有量に依存して絶縁体挙動,一回書き込み多数回読み出し(WORM)メモリ効果,書き換え可能なメモリ効果及び導体挙動のようなさまざまな電気コンダクタンス挙動を示す。WORM及び書き換え型メモリ素子のオフ及びオン状態は-1.0Vの読み取り電圧で定電圧ストレスまたは連続パルス電圧ストレスの下,安定である。メモリ機構は素子の両状態で電流の性質のモデリングから推論される。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリビニルカルバゾール ,  *炭素材 ,  *高分子有機-無機ハイブリッド ,  *高分子薄膜 ,  *記憶素子 ,  電流電圧特性 ,  電流密度 ,  電気抵抗 ,  オンオフ制御 ,  コンパクトディスク ,  光ディスク ,  *グラフェン
準シソーラス用語： WORM

分類 (3件)： その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  複合体 ,  コンダクタンス ,  不揮発性 ,  メモリ素子