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J-GLOBAL ID：201202218087959018   整理番号：12A1095945

第一原理計算によって確認した金属/SiON/SiC(0001)界面での仕事関数へのショットキー障壁の依存性

Dependence of the Schottky barrier on the work function at metal/SiON/SiC(0001) interfaces identified by first-principles calculations

著者 (4件)： ANDO Yasunobu (Dep. of Physics, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  GOHDA Yoshihiro (Dep. of Physics, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  TSUNEYUKI Shinji (Dep. of Physics, The Univ. of Tokyo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, JPN) ,  TSUNEYUKI Shinji (Inst. for Solid State Physics, The Univ. of Tokyo, Chiba 277-8581, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 606  号： 19-20  ページ： 1501-1506  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC(0001)面に形成された金属/SiON界面の仕事関数のショットキー障壁高さ(SBH)の依存性を明らかにするための,密度汎関数理論に基づく調査を報告する。層がSiON面と接触するとき,Al層の原子密度は,その仕事関数にもSBH形成にも影響を及ぼさないことを見出した。さらに重要なことに,層の仕事関数の差を反映して,Bの上層に対するSBHは,Al層のそれと比べて低い。本結果は,明らかにフェルミレベルピンニングは,SiC(0001)上のSiONに対して起こらず,それは,SBHが,金属の仕事関数を変化させることにより,金属/SiON/SiC系に対して制御可能であることを,明白に意味する。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *計算 ,  *ケイ素化合物 ,  *酸化物 ,  *絶縁膜 ,  *窒化物 ,  *炭化ケイ素 ,  界面 ,  仕事関数 ,  Schottky障壁 ,  密度汎関数法 ,  密度 ,  Fermi準位 ,  ピン止め
準シソーラス用語： Fermiレベル ,  ピニング ,  原子密度 ,  *酸窒化ケイ素 ,  *第一原理計算 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 電子放出一般  (BM09010H) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 第一原理計算 ,  SiON ,  SiC ,  界面 ,  仕事関数 ,  ショットキー障壁 ,  依存性