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J-GLOBAL ID：201202218172472349   整理番号：12A0430707

半金属のFe₃O₄と半導体ZnOの間における界面の磁性と電子物性

Magnetic and electronic properties of the interface between half metallic Fe₃O₄ and semiconducting ZnO

著者 (13件)： BRUECK S. (School of Physics, Univ. of New South Wales, Sydney NSW 2052, AUS) ,  PAUL M. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  TIAN H. (Electron Microscopy for Materials Sci., Univ. of Antwerp, 2020 Antwerp, BEL) ,  MUELLER A. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  KUFER D. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  PRAETORIUS C. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  FAUTH K. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  AUDEHM P. (Max Planck Inst. for Intelligent Systems (former Metals Research), Heisenbergstrasse 3, 70569 Stuttgart, DEU) ,  GOERING E. (Max Planck Inst. for Intelligent Systems (former Metals Research), Heisenbergstrasse 3, 70569 Stuttgart, DEU) ,  VERBEECK J. (Electron Microscopy for Materials Sci., Univ. of Antwerp, 2020 Antwerp, BEL) ,  VAN TENDELOO G. (Electron Microscopy for Materials Sci., Univ. of Antwerp, 2020 Antwerp, BEL) ,  SING M. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU) ,  CLAESSEN R. (Physikalisches Inst. and Roentgen Res. Center for Complex Material Systems, Universitaet Wuerzburg, 97074 Wuerzburg, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 8  ページ： 081603  発行年： 2012年02月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体のZnO基板上に直接エピタキシャル成長させたFe₃O₄薄膜の磁気深さプロフィルを,軟x線共鳴磁気反射率法(XRMR)および電子エネルギー損失分光法(EELS)によって研究した結果を報告する。二つの方法から求めたZnOおよびFe₃O₄の間の界面に関する化学プロフィルには,矛盾がないことが分かった。価数選別EELSおよびXRMRから,ZnOとFe₃O₄の間の界面におけるFeの最初の単原子層は,Fe³⁺イオンだけを含むことが別々に解明された。2.5Åという狭い界面以外に,Fe₃O₄は薄膜全体を通してバルクの磁気的特性を示し,この系は非常に効率の良いスピン注入層として期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半金属 ,  化合物半導体 ,  *酸化鉄 ,  *界面 ,  反射 ,  共鳴 ,  エピタクシー ,  磁性薄膜 ,  基板 ,  *酸化亜鉛 ,  電子エネルギー損失スペクトル ,  注入 ,  原子価 ,  局所密度汎関数法
準シソーラス用語： LSDA+U ,  スピン注入 ,  *四三酸化鉄 ,  磁気反射 ,  軟X線共鳴磁気反射

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半金属 ,  ZnO ,  界面 ,  磁性 ,  電子物性