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J-GLOBAL ID：201202218172789504   整理番号：12A1584420

2A/mmを越える最大ドレイン電流を有する,Si基板上に作製した反転型InGaAs金属-酸化物-半導体,高電子移動度トランジスタ

Inverted-Type InGaAs Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor on Si Substrate with Maximum Drain Current Exceeding 2 A/mm

著者 (4件)： ZHOU Xiuju (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LI Qiang (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  TANG Chak Wah (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LAU Kei May (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 10  ページ： 104201.1-104201.3  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転型In_0.51Ga_0.47As金属-酸化物-半導体,高電子移動度トランジスタをSi基板上に作製した。原子層成長した8nmのAl₂O₃をゲート誘電体として使用した。130nmのチャンネル長のデバイスは,V_ds=0.6Vで最大2.03A/mm及び163Ωμmの非常に低い抵抗を示した。2975cm²V^-1s^-1の実効移動度が求められ,有機金属化合物成長法で高品質なエピタキシャル成長が示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *MOSFET ,  *HEMT ,  *反転層 ,  ウエハ【IC】 ,  アルミナ ,  原子層エピタクシー ,  酸化膜 ,  *移動度 ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  ゲート誘電体 ,  *金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ ,  原子層成長法 ,  *高電子移動度トランジスタ ,  有機金属気相成長法

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (21件)：

• DEL ALAMO, J. A. Proc. 23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, 2011. 2011, 1
• ITRS. http://www.itrs.net/Links/2010ITRS/Home2010.htm
• HUDAIT, M. K. IEDM Tech. Dig., 2007. 2007, 625
• RADOSAVLJEVIC, M. IEDM Tech. Dig., 2009. 2009, 1
• LAU, K. M. IEDM Tech. Dig., 2008. 2008, 1

タイトルに関連する用語 (7件)： ドレイン電流 ,  Si基板 ,  作製 ,  反転型 ,  InGaAs ,  酸化物 ,  高電子移動度トランジスタ