文献

J-GLOBAL ID：201202218561283071   整理番号：12A1516032

ビスマス正方ネット構造を有するCeNi_xBi₂の超伝導エピタキシャル薄膜

Superconducting epitaxial thin films of CeNi_xBi₂ with a bismuth square net structure

著者 (5件)： BUCKOW Alexander (Inst. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, DEU) ,  KUPKA Katharina (Inst. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, DEU) ,  RETZLAFF Reiner (Inst. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, DEU) ,  KURIAN Jose (Inst. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, DEU) ,  ALFF Lambert (Inst. of Materials Sci., Technische Universitaet Darmstadt, 64287 Darmstadt, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 16  ページ： 162602-162602-4  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,高度にエピタキシャルで純粋な相からなる,ヒ素を含まない窒素族元素化合物CeNi_xBi₂を,(100)MgO基板上に,反応性分子ビームエピタクシー(RMBE)により成長させた。これら薄膜に関するX線回折およびRHEED実験は,Bi正方ネット層を有するZrCuSiAs構造を確認した。これらCeNi_xBi₂薄膜(x=0.75~0.93)について,磁化および電気抵抗率測定において超伝導を観測した。最高臨界温度は4.05Kであり,電気抵抗転移幅は,x=0.86に対して0.1Kであった。著者らの結果は,RMBEによる薄膜蒸着が,新しい112型の高品質窒素族元素化合物超伝導体の合成に対するツールを与えることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超伝導薄膜 ,  金属間化合物 ,  *ビスマス合金 ,  セリウム含有合金 ,  ニッケル含有合金 ,  *MBE成長 ,  反応性 ,  X線回折 ,  RHEED ,  結晶構造 ,  ロッキングカーブ ,  磁化 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性 ,  臨界温度 ,  基板 ,  酸化マグネシウム

分類 (2件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ビスマス ,  ネット構造 ,  伝導 ,  エピタキシャル ,  薄膜