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J-GLOBAL ID：201202218617561835   整理番号：12A0495517

ゲルマニウムへのアルミニウム埋め込み アップヒル拡散 電気活性化と閉じ込め

Aluminium Implantation in Germanium: Uphill Diffusion, Electrical Activation and Trapping

著者 (8件)： IMPELLIZZERI Giuliana (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  NAPOLITANI Enrico (Universita di Padova, Padova, ITA) ,  BONINELLI Simona (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  PRIVITERA Vittorio (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  CLARYSSE Trudo (imec, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (imec, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  PRIOLO Francesco (Universita di Catania, Catania, ITA)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 2  ページ： 021301.1-021301.3  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,結晶性GeへのAl埋め込みの広い研究を提示する。最高600°Cまで Alは拡散せず,そして,~1×10²⁰ cm^-3の著しい電気活性化は得られる。より高いアニール温度(700~800°Cまで)で,Alは,バルクの方へ重要な拡散と,電気測定がAlの重要な非活性化を示す表面の隣に予想外のアップヒル拡散を示した。後者の両方の観察は,表面の次のドーパントを静止し電気的に不活化できるドーパント・トラップの存在に関して説明される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *アルミニウム ,  埋込み【挿入】 ,  拡散 ,  焼なまし ,  ドーパント ,  不活性化 ,  結晶

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• CLAEYS, C. Germanium-Based Technologies-From Materials to Devices. 2007
• DUNLAP, W. C. Jr. Phys. Rev. 1954, 94, 1531
• UPPAL, S. J. Appl. Phys. 2001, 90, 4293
• UPPAL, S. J. Appl. Phys. 2004, 96, 1376
• NAPOLITANI, E. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 201906

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  アルミニウム ,  埋め込み ,  ヒル ,  拡散 ,  電気活性 ,  閉じ込め