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J-GLOBAL ID：201202218819666566   整理番号：12A1767527

単一InAs/GaSbナノワイヤ低電力CMOSインバータ

Single InAs/GaSb Nanowire Low-Power CMOS Inverter

著者 (5件)： DEY Anil W. (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SVENSSON Johannes (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BORG B. Mattias (Lund Univ., Lund, SWE) ,  EK Martin (Div. of Polymer and Materials Chemistry, Lund, SWE) ,  WERNERSSON Lars-Erik (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 11  ページ： 5593-5597  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金ナノ粒子触媒を用いるMOVPEによりInAS/GaSbコア-シェル構造ナノワイヤを成長させた。透過型電子顕微鏡,エネルギー分散X線分光分析によりキャラクタリゼーションを行った。チタン/金電極および酸化アルミニウム/酸化ハフニウム高k誘電体層の原子層堆積によりヘテロ接合ナノワイヤCMOSインバーターを作製した。n型およびp型トランジスタのサブスレショルドスイングSS=98および400mV/dec(V_ds=0.5V)を確認した。インバーター動作のゲインは10.5で素子間ばらつきは小さい。変換は低周波数では定量的であるが,高周波数では波形の歪を生じ,寄生容量が原因と推定した。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  構造 ,  *ナノワイヤ ,  半導体 ,  *論理回路 ,  ナノ粒子 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  MOCVD ,  結晶成長 ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  電極 ,  金電極 ,  酸化アルミニウム ,  酸化ハフニウム ,  誘電体 ,  化学蒸着 ,  ヘテロ接合 ,  利得 ,  周波数依存性 ,  CMOS ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： *CMOSインバータ ,  MOVPE ,  ゲイン ,  チタン電極 ,  金ナノ粒子 ,  金触媒 ,  原子層堆積 ,  高k誘電体

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  GaSb ,  ナノワイヤ ,  低電力 ,  CMOSインバータ