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J-GLOBAL ID：201202218855485276   整理番号：12A0140341

金基板上のポリチオフェン薄膜の電着とキャラクタリゼーション

Electrodeposition and characterisation of polythiophene films on gold substrates

著者 (6件)： MONNIN Alexandra F. (Inst. UTINAM, UMR CNRS 6213, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA) ,  BURON Cedric C. (Inst. UTINAM, UMR CNRS 6213, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA) ,  GUYARD Laurent (Inst. UTINAM, UMR CNRS 6213, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA) ,  CHARRAUT Daniel (Inst. FEMTO ST, UMR CNRS 6174, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA) ,  SALUT Roland (Inst. FEMTO ST, UMR CNRS 6174, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA) ,  FILIATRE Claudine (Inst. UTINAM, UMR CNRS 6213, Univ. de Franche-Comte, 16, Route de Gray, 25030 Besancon, FRA)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 162  号： 1-2  ページ： 1-9  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 星型オリゴチオフェンは超構造材料構築での使用に関心が高い。著者らはすでに水性媒体中での導電性基板上への粒子付着およびアセンブリを改善するためにそれらを使用した。本研究では,2つの異なる単量体,トリス(2,2′-ジチエニル)メチルカルビノール(TMC)とビチオフェン(BT)の電解重合を金薄膜で行い,シリコンウェハ上にPVDによって沈着した。サイクル数とスキャン速度を変えることで,電着体のモルフォロジーが変更できた。この高分子薄膜を,サイクリックボルタンメトリー,古典的な顕微鏡,原子間力顕微鏡および走査電子顕微鏡によって特性化した。PTMC薄膜はPBT薄膜よりも平坦,膜厚および均一であった。最後に,複合粒子の電気泳動沈着をPBTおよびPTMC薄膜上で行った。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 金 ,  基板 ,  *ポリチオフェン類 ,  *高分子薄膜 ,  *電着 ,  キャラクタリゼーション ,  電気泳動 ,  電解重合 ,  アルコール ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電子顕微鏡観察 ,  モルフォロジー ,  星状重合体 ,  *導電性高分子 ,  硫黄複素環化合物

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (2件)： 2,2′-ビチオフェン ,  トリス(2,2′-ビチオフェン-5-イル)メタノール

タイトルに関連する用語 (5件)： 金基板 ,  ポリチオフェン ,  薄膜 ,  電着 ,  キャラクタリゼーション