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J-GLOBAL ID：201202218953264270   整理番号：12A0343241

せん亜鉛鉱型三成分III-VとII-VI半導体における組成に高感度な002反射における散乱強度と静的な原子補正因子

Scattering amplitudes and static atomic correction factors for the composition-sensitive 002 reflection in sphalerite ternary III-V and II-VI semiconductors

著者 (3件)： SCHOWALTER M. (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  MUELLER K. (Univ. Bremen, Bremen, DEU) ,  ROSENAUER A. (Univ. Bremen, Bremen, DEU)
資料名： Acta Crystallographica. Section A. Foundations of Crystallography  (Acta Crystallographica. Section A. Foundations of Crystallography)
巻： 68  号： 1  ページ： 68-76  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： A0315B  ISSN： 0108-7673  CODEN： ACACEQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *閃亜鉛鉱型結晶 ,  *三成分系 ,  *化合物半導体 ,  *強度 ,  *原子散乱 ,  透過型電子顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  *因子 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化物 ,  ガリウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  化学組成 ,  *制限視野回折
準シソーラス用語： III-VI族化合物半導体 ,  II-VI族化合物半導体 ,  ひ化アンチモンガリウム ,  原子散乱強度 ,  *補正因子

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： せん亜鉛鉱 ,  II-VI半導体 ,  組成 ,  高感度 ,  散乱強度 ,  原子 ,  補正因子