JAHAN N. A. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
HERMANNSTAEDTER C. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
HUH J-H. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
SASAKURA H. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
ROTTER T. J. について
Univ. New Mexico, New Mexico, USA について
AHIRWAR P. について
Univ. New Mexico, New Mexico, USA について
BALAKRISHNAN G. について
Univ. New Mexico, New Mexico, USA について
AKAHANE K. について
National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN について
SASAKI M. について
National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN について
KUMANO H. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
SUEMUNE I. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
Abstracts. RIES-Hokudai International Symposium について
量子ドット について
ヒ化インジウム について
埋込み【挿入】 について
光ルミネセンス について
半導体レーザ について
活性化エネルギー について
バンドギャップ について
FWHM について
メサ構造 について
温度依存性 について
量子ドットレーザ について
量子ダッシュ について
固体デバイス材料 について
半導体のルミネセンス について
障壁 について
InAs量子ドット について
量子ダッシュ について
通信バンド について
光ルミネセンス について