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J-GLOBAL ID：201202218957858433   整理番号：12A1317103

セレン化によって合成したCuAl_xGa_1-xSe₂薄膜に対するアニーリング温度の影響

Influence of the annealing temperature on CuAl_xGa_1-xSe₂ thin films obtained by selenization

著者 (3件)： LOPEZ-GARCIA J. (CIEMAT, Madrid, ESP) ,  GUILLEN C. (CIEMAT, Madrid, ESP) ,  HERRERO J. (CIEMAT, Madrid, ESP)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 8  ページ： 1467-1474  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着した金属前駆体層のセレン化によって作製したCuAl_xGa_1-xSe₂(CAGS)薄膜に対するアニーリング温度の効果について報告する。この方法は結晶性の良いCAGS膜の形成に適した方法であることが判明した。試料の特性に対する効果を研究するために,セレン化の温度を450°Cと550°Cの間で変化させた。X線回折と光学測定による研究から,完全で,均一な四元化合物を得るには,Alの組成比が増すに伴って,セレン化の温度を上昇させる必要があることが分かった。また,四元化合物を形成する最低温度は500°C近傍であることが判明した。しかし,Alの組成比が高い試料を525°Cでセレン化すると,再結晶化と四元化合物内部における再配列が促進されることが分かった。セレン化温度を550°C以上にしても,結晶性の更なる改善は観測されなかった。バンドギャップエネルギーはAlの組成の増加に対して非線形に増大し,曲がりのパラメータ,b,は0.60~0.83の間でセレン化の温度に依存することが分かった。セレン化温度,あるいはアニーリング温度の上昇に伴って,抵抗率,薄膜表面の粗さ,バンドギャップエネルギー,および結晶粒のサイズは増大する傾向があり,xが0.3<x<0.6の範囲で変化が最も大きいことが分かった。

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  焼なまし ,  温度 ,  前駆体 ,  X線回折 ,  光吸収スペクトル ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *バンドギャップ ,  結晶度 ,  濃度依存性 ,  バンド構造 ,  反応温度 ,  電気抵抗率 ,  表面粗さ ,  結晶粒度
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  セレン化 ,  結晶性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： セレン化 ,  薄膜 ,  アニーリング温度