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J-GLOBAL ID：201202219093345478   整理番号：12A1187676

金属-酸化物-半導体キャパシタを実現に向けてhigh-k誘電体/GaAs界面を改良するための超薄擬InP層の役割

Role of ultra thin pseudomorphic InP layer to improve the high-k dielectric/GaAs interface in realizing metal-oxide-semiconductor capacitor

著者 (6件)： KUNDU Souvik (Materials Sci. Centre, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721 302, IND) ,  HALDER Nripendra N. (Advanced Technol. Dev. Centre, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721 302, IND) ,  BISWAS D. (Dep. of Electronics & Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721302, IND) ,  BANERJI P. (Materials Sci. Centre, Indian Inst. of Technol., Kharagpur 721 302, IND) ,  SHRIPATHI T. (UGC-DAE Consortium for Scientific Res., Univ. Campus, Khandwa Road, Indore 452 001, IND) ,  CHAKRABORTY S. (Applied Materials Sci. Div., Saha Inst. of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Sector-I, Kolkata 700 064, IND)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 034514-034514-7  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では有機金属化学気相堆積超薄(1.5nm)擬形態InP界面保護層(IPL)と薄い(5nm)ZrO₂を有するhigh-k GaAs金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシタについて報告する。InPで保護したGaAs表面に関する表面準位の減少をフォトルミネセンス研究により観察した。X線光電子スペクトルによりZrO₂とp-GaAsの界面からGaAs自然酸化物(Ga-OおよびAs-O)の劇的な減少を確認した。このことはhigh-k/GaAs界面のFermi準位が良好な界面特性によってはピン止めされないことを示している。結果として,界面捕獲密度(1.1×10¹¹cm^-2eV^-1)とヒステリシス(8.21mV)の非常に低い値を観察した。GaAs MOSデバイス上のInP界面保護層の有効性を理解するためにGaAs表面上に直接堆積したZrO₂に同じようなことを行った。Al/ZrO₂/InP/p-GaAsおよびAl/ZrO₂/p-GaAs料構造についてシステム的な容量-電圧および電流密度-電圧の研究を行った。1.5nmのInP超薄層をZrO₂とGaAsの間に挿入することによって誘電率,周波数分散,リーク電流などのGaAs MOSの本質的なパラメータを改良できることを発見した。誘電率の信頼性を定電圧ストレス法によって研究した。InPで保護したGaAs MOSキャパシタで時間に関する非常に小さいフラットバンドシフトを観察した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  誘電体薄膜 ,  *ヒ化ガリウム ,  *界面 ,  *リン化インジウム ,  *超薄膜 ,  *酸化ジルコニウム ,  表面準位 ,  光ルミネセンス ,  酸化物 ,  X線光電子スペクトル ,  Fermi準位 ,  密度 ,  ヒステリシス ,  負荷試験 ,  誘電率 ,  分散【dispersion】 ,  漏れ電流 ,  MOCVD ,  化合物半導体
準シソーラス用語： high-k膜 ,  ストレス試験 ,  フォトルミネセンス ,  リーク電流 ,  自然酸化物 ,  周波数分散 ,  電圧ストレス ,  捕獲密度 ,  MOSキャパシタ ,  保護層

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  キャパシタ ,  誘電体 ,  GaAs ,  界面 ,  InP ,  役割