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J-GLOBAL ID：201202219144147021   整理番号：12A1405400

磁気的にドープした半導体的トポロジカル絶縁体

Magnetically doped semiconducting topological insulators

著者 (11件)： KOU X. F. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  JIANG W. J. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  LANG M. R. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  XIU F. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Iowa State Univ., Ames, Iowa 50011, USA) ,  HE L. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  WANG Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027, CHN) ,  WANG Y. (Materials Engineering & Centre for Microscopy and Microanalysis, The Univ. of Queensland, Brisbane, QLD 4072, AUS) ,  YU X. X. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA) ,  FEDOROV A. V. (Advanced Light Source Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  ZHANG P. (Advanced Light Source Div., Lawrence Berkeley National Lab., Berkeley, California 94720, USA) ,  WANG K. L. (Device Res. Lab., Dep. of Electrical Engineering, Univ. of California, Los Angeles, California 90095, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 063912-063912-6  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポロジカル絶縁体の時間不変挙動は磁気ドーピングにより変えられるのではないかと期待されているが,それが本研究の動機となった。ここでは,Si上に育成したBi_2-xCr_xSe₃(0.01≦x≦0.3)薄膜の大きなトポロジカル表面状態がCrドーパントにより弱まることを示した。表面のバンドギャップは開き,10Kにおいて~100meVまでCr濃度とともに単調に増大した。一方,半導体挙動は改良型成長方法とその場不活性化法を手段とするバックグラウンドドーピングの低下によりバルク内でよく維持された。それに加えて,35K以下で従来とは異なる強磁性秩序の存在を見出したが,それにはCurie-Weiss則と従来型/改良Arrott式は当てはまらなかった。これらの観測はトポロジカル絶縁体の異常な磁気電気効果をさらに調べるのに有用であり,その結果はまた量子異常Hall効果を実現する道を開くことになろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *半導体 ,  *ドーピング ,  *磁性体 ,  *ビスマス化合物 ,  *クロム ,  薄膜 ,  表面準位 ,  バンドギャップ ,  強磁性 ,  磁気秩序 ,  Curie-Weiss則 ,  磁気電気効果 ,  量子効果 ,  異常Hall効果 ,  対称性 ,  RHEED ,  振動 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  曲線 ,  輸送現象 ,  濃度依存性 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  不活性化 ,  *セレン化物 ,  化合物半導体 ,  *絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ARPES ,  RHEED振動 ,  強磁性秩序 ,  時間反転対称性 ,  磁化曲線 ,  磁気輸送 ,  表面状態 ,  *セレン化ビスマス

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 磁気 ,  ドープ ,  トポロジカル絶縁体