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J-GLOBAL ID：201202219361739379   整理番号：12A1012099

Q-1D半導体ZnS階層的ナノ構造体の作製,構造的特性化およびフォトルミネセンス

Fabrication, structural characterization and photoluminescence of Q-1D semiconductor ZnS hierarchical nanostructures

著者 (7件)： ZHANG Jun (Yantai Univ.) ,  YANG Yongdong (Yantai Univ.) ,  JIANG Feihong (Yantai Univ.) ,  LI Jianping (Yantai Univ.) ,  XU Baolong (Yantai Univ.) ,  WANG Xichang (Yantai Univ.) ,  WANG Shumei (Yantai Univ.)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 2695-700  発行年： 2006年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSナノ粉体とSn粉体との混合物の熱蒸発により,準一次元半導体ZnS階層的ナノ構造体を作製した。ナノワイヤ(またはナノニードル)のチップまたはチップ近くにSnナノ粒子を配置し,気体-液体-固体機構による準一次元ZnSナノ構造成長に対する触媒として作用させる。ZnS階層的ナノ構造体の形態および微細構造を走査電子顕微鏡法および高分解能透過電子顕微鏡法で測定した。その結果として,長くて直線のZnS軸ナノワイヤの外殻上に多数のZnSナノニードルが形成されたことを示す。ZnS軸ナノワイヤは[001]方向に沿って成長し,ZnSナノニードルは半径方向でZnSナノワイヤ表面の上方に整列されている。室温フォトルミネセンススペクトルでは,合成直後の単結晶半導体ZnS階層的ナノ構造体から337nmを中心とするUV弱発光が現れ,436nmを中心とする一つの青色発光が現れている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *硫化亜鉛 ,  *光ルミネセンス ,  ナノワイヤ ,  ナノ粒子 ,  スズ ,  *VLS成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  階層構造 ,  微粉体
準シソーラス用語： 準一次元 ,  ナノニードル ,  走査型電子顕微鏡法 ,  HRTEM法 ,  *青色発光 ,  ナノ粉末

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 1D ,  ZnS ,  ナノ構造体 ,  作製 ,  構造的特性 ,  フォトルミネセンス