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J-GLOBAL ID：201202219729298076   整理番号：12A1052377

GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作

Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser

著者 (5件)： 荒井昌和 (NTT フォトニクス研) ,  金澤慈 (NTT フォトニクス研) ,  田所貴志 (NTT フォトニクス研) ,  田所貴志 (東京電機大) ,  神徳正樹 (NTT フォトニクス研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 99(LQE2012 13-23)  ページ： 9-12  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 通信用レーザの高速化,低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで,基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり,InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく,温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25°Cから85°Cで明瞭なアイ開口を確認した。また,更なる温度特性向上のために,pクラッド層の一部に電子障壁層を導入した構造のレーザを作製した。特性温度220K,最高発振温度200°Cなどの優れた特性を確認した。これらの結果からメタモルフィック成長技術を用いたGaAs基板上1.3μm帯レーザが高速・低消費電力なレーザ光源として有望であることを確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *半導体レーザ ,  *Fabry-Perot共振器 ,  高速度 ,  消費電力 ,  *バッファ層 ,  *不整合転位 ,  被覆層 ,  格子定数 ,  屈折率 ,  *MOCVD ,  *光変調 ,  レーザ発振 ,  漂遊容量 ,  電気抵抗

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs基板 ,  直接変調